Продукція > IXYS > DSEP29-12B

DSEP29-12B IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=7071f08e-3930-4b3e-9cfa-f62cdbc65598&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520dsep29-12b%2520datasheet.pdf Виробник: IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 600V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.76 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+324.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSEP29-12B IXYS

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 140 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 600V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.76 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції DSEP29-12B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DSEP29-12B DSEP29-12B Виробник : IXYS DSEP29-12B-1621926.pdf Discrete Semiconductor Modules TO-220AC
товар відсутній