DXT651-13

DXT651-13 Diodes Zetex


ds31184.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+9.78 грн
5000+ 9.68 грн
12500+ 9.58 грн
25000+ 9.15 грн
62500+ 8.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXT651-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: DXT Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DXT651-13 за ціною від 9.37 грн до 36.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31184.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Zetex ds31184.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 847500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.89 грн
212500+ 11.78 грн
425000+ 10.96 грн
637500+ 9.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : DIODES INC. DIODS18036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.97 грн
500+ 15.51 грн
1000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31184.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.64 грн
11+ 28.1 грн
100+ 18.09 грн
500+ 14.55 грн
1000+ 11.35 грн
2500+ 9.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31184.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.66 грн
10+ 28.79 грн
100+ 20.03 грн
500+ 14.68 грн
1000+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : DIODES INC. DIODS18036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.7 грн
25+ 31.16 грн
100+ 20.97 грн
500+ 15.51 грн
1000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 21
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Zetex ds31184.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DXT651-13 DXT651-13 Виробник : Diodes Inc 3117ds31184.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній