Продукція > DIODES INCORPORATED > DXTN5820DFDB-7
DXTN5820DFDB-7

DXTN5820DFDB-7 Diodes Incorporated

DXTN5820DFDB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DXTN5820DFDB-7 Diodes Incorporated

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 690 mW.

Інші пропозиції DXTN5820DFDB-7 за ціною від 12.1 грн до 36.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DXTN5820DFDB-7 DXTN5820DFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DXTN5820DFDB.pdf Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.11 грн
10+ 29.21 грн
100+ 20.31 грн
500+ 14.88 грн
1000+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 8
DXTN5820DFDB-7 DXTN5820DFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009600122_1-2543382.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
товар відсутній