DXTN5860DFDB-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.97 грн |
6000+ | 10.94 грн |
9000+ | 10.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DXTN5860DFDB-7 Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 115MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 690 mW.
Інші пропозиції DXTN5860DFDB-7 за ціною від 11.58 грн до 36.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DXTN5860DFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 115MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 690 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DXTN5860DFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex | 60V NPN Low Saturation Transistor |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DXTN5860DFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex | 60V NPN Low Saturation Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||
DXTN5860DFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist |
товар відсутній |