Технічний опис DZ950N44KS02HPSA1 Infineon Technologies
Description: DIODE GEN PURP 4.4KV 950A PB70-1, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 950A, Supplier Device Package: BG-PB70-1, Operating Temperature - Junction: 160°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4400 V, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 4400 V.
Інші пропозиції DZ950N44KS02HPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DZ950N44KS02HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: DIODE GEN PURP 4.4KV 950A PB70-1Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 950A Supplier Device Package: BG-PB70-1 Operating Temperature - Junction: 160°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4400 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 4400 V |
товар відсутній |
|
| DZ950N44KS02HPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Discrete Semiconductor Modules THYR / DIODE MODULE DK |
товар відсутній |