E3M0075120J2-TR Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.Description: 75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 753.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E3M0075120J2-TR Wolfspeed, Inc.
Description: 75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V, Power Dissipation (Max): 172W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції E3M0075120J2-TR за ціною від 701.46 грн до 1184.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
E3M0075120J2-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: 75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| E3M0075120J2-TR | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Automotive, Gen 3 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 57-66 дні (днів) |
|