ECF840AAACN-C1-Y3 Micron Technology Inc.
Виробник: Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL
Packaging: Bulk
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR3
Memory Format: DRAM
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL
Packaging: Bulk
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR3
Memory Format: DRAM
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECF840AAACN-C1-Y3 Micron Technology Inc.
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL, Packaging: Bulk, Memory Size: 8Gbit, Memory Type: Volatile, Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR3, Memory Format: DRAM, Memory Interface: Parallel, Memory Organization: 512M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції ECF840AAACN-C1-Y3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| ECF840AAACN-C1-Y3 | Виробник : Micron | DRAM LPDDR3 8G Die 256MX32 |
товар відсутній |