Продукція > ONSEMI > EFC2K102ANUZTDG
EFC2K102ANUZTDG

EFC2K102ANUZTDG onsemi

efc2k102anuz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 3.8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (2.98x1.49)
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.27 грн
10+ 43.46 грн
25+ 40.84 грн
100+ 29.06 грн
250+ 24.72 грн
500+ 23.49 грн
1000+ 17.63 грн
2500+ 16.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC2K102ANUZTDG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 3.8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 10-WLCSP (2.98x1.49).

Інші пропозиції EFC2K102ANUZTDG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EFC2K102ANUZTDG Виробник : ON Semiconductor efc2k102anuz-d.pdf Power MOSFET, Dual, N-Channel, for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection
товар відсутній
EFC2K102ANUZTDG EFC2K102ANUZTDG Виробник : onsemi efc2k102anuz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 3.8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (2.98x1.49)
товар відсутній