EMD22FHAT2R ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-563
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 5.33 грн |
| 1000+ | 3.28 грн |
| 5000+ | 3.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD22FHAT2R ROHM
Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung, Bauform - Transistor: SOT-563, Bauform - HF-Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції EMD22FHAT2R за ціною від 3.21 грн до 22.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMD22FHAT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 7975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EMD22FHAT2R | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Polarität des Digitaltransistors: NPN- und PNP-Ergänzung Bauform - Transistor: SOT-563 Bauform - HF-Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EMD22FHAT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EMD22FHAT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR |
на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Case: SOT563 Mounting: SMD Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN / PNP Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Current gain: 80 Polarisation: bipolar |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
EMD22FHAT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
EMD22FHAT2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| EMD22FHAT2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Case: SOT563 Mounting: SMD Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN / PNP Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Current gain: 80 Polarisation: bipolar |
товар відсутній |