EMD29T2R Rohm Semiconductor
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 748+ | 15.61 грн |
| 776+ | 15.05 грн |
| 1000+ | 14.56 грн |
| 2500+ | 13.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD29T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 120mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz, Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD29T2R за ціною від 8.88 грн до 31.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
EMD29T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
 Category: Complementary transistorsDescription: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V Case: SOT563F Mounting: SMD Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 1/10kΩ Base-emitter resistor: 10/10kΩ Frequency: 255MHz Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN / PNP Collector-emitter voltage: 50/12V Collector current: 0.1/0.5A Polarisation: bipolar |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EMD29T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V Case: SOT563F Mounting: SMD Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 1/10kΩ Base-emitter resistor: 10/10kΩ Frequency: 255MHz Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN / PNP Collector-emitter voltage: 50/12V Collector current: 0.1/0.5A Polarisation: bipolar |
на замовлення 43 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EMD29T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
EMD29T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN |
товар відсутній |