EMD4T2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 5974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 25.21 грн |
| 15+ | 18.73 грн |
| 100+ | 11.25 грн |
| 500+ | 9.77 грн |
| 1000+ | 6.65 грн |
| 2000+ | 6.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD4T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD4T2R за ціною від 5.26 грн до 27.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EMD4T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN |
на замовлення 8910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMD4 T2R | Виробник : ROHM | SOT26/SOT363 |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMD4T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
EMD4T2R Complementary transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
EMD4T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товар відсутній |