Продукція > ONSEMI > EMD4DXV6T1G
EMD4DXV6T1G

EMD4DXV6T1G onsemi

emd4dxv6-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMD4DXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції EMD4DXV6T1G за ціною від 6.06 грн до 36.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6T1G Виробник : onsemi EMD4DXV6_D-2310988.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital
на замовлення 7238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.98 грн
15+ 21.83 грн
100+ 11.79 грн
500+ 8.12 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMD4DXV6T1G EMD4DXV6T1G Виробник : onsemi emd4dxv6-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.02 грн
11+ 25.8 грн
100+ 14.62 грн
500+ 9.09 грн
1000+ 6.97 грн
2000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
EMD4DXV6T1G Виробник : ON Semiconductor emd4dxv6-d.pdf
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)