Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMD9T2R
EMD9T2R

EMD9T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMD9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMD9T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.

Інші пропозиції EMD9T2R за ціною від 5.46 грн до 27.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EMD9T2R EMD9T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMD9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 15940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.93 грн
15+ 19.22 грн
100+ 11.53 грн
500+ 10.02 грн
1000+ 6.81 грн
2000+ 6.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD9T2R EMD9T2R Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMD9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 70MA
на замовлення 77772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.43 грн
14+ 22.21 грн
100+ 13.19 грн
1000+ 7.39 грн
2500+ 6.73 грн
8000+ 5.93 грн
24000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
EMD9-T2R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD9T2R Виробник : ROHM datasheet?p=EMD9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key SOT363
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD9 T2R Виробник : ROHM SOT663
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMD9T2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMD9&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMD9T2R Complementary transistors
товар відсутній