Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EMF5T2R
EMF5T2R

EMF5T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EMF5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EMF5T2R Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V, Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.

Інші пропозиції EMF5T2R за ціною від 7.61 грн до 30.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EMF5T2R EMF5T2R Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=EMF5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 13618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
13+ 22.81 грн
100+ 15.87 грн
500+ 11.63 грн
1000+ 9.45 грн
2000+ 8.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMF5T2R EMF5T2R Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=EMF5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.45 грн
12+ 25.72 грн
100+ 16.69 грн
500+ 13.15 грн
1000+ 9.28 грн
2500+ 8.68 грн
8000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
EMF5T2R datasheet?p=EMF5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
на замовлення 7252 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EMF5T2R Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=EMF5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key EMF5T2R Complementary transistors
товар відсутній