Продукція > EPC > EPC2034C
EPC2034C

EPC2034C


EPC2034C_datasheet.pdf Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+388.96 грн
1000+ 337.1 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2034C EPC

Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.

Інші пропозиції EPC2034C за ціною від 424.49 грн до 616.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EPC2034C EPC2034C Виробник : EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+616.74 грн
10+ 509.4 грн
100+ 424.49 грн