Продукція > EPC > EPC2052
EPC2052

EPC2052

EPC2052_datasheet.pdf Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.69 грн
5000+ 42.34 грн
12500+ 40.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2052 EPC

Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.

Інші пропозиції EPC2052 за ціною від 43.46 грн до 101.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EPC2052 EPC2052 Виробник : EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 136532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.1 грн
10+ 81.02 грн
100+ 64.5 грн
500+ 51.22 грн
1000+ 43.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2052 Виробник : Efficient Power Conversion epc2052_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 8.2A 9-Pin Die T/R
товар відсутній