Продукція > EPC > EPC2206
EPC2206

EPC2206

EPC2206_datasheet.pdf Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 59500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+264.43 грн
1000+ 218.03 грн
2500+ 205.3 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2206 EPC

Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.

Інші пропозиції EPC2206 за ціною від 237.95 грн до 438.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EPC2206 EPC2206 Виробник : Efficient Power Conversion epc2206_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 90A 30-Pin Die T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+271.35 грн
1000+ 237.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2206 EPC2206 Виробник : EPC EPC2206_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 60244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+438.36 грн
10+ 354.11 грн
100+ 286.47 грн
EPC2206 Виробник : Efficient Power Conversion epc2206_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 80V 90A 30-Pin Die T/R
товар відсутній