ESH3D-E3/57T

ESH3D-E3/57T Vishay General Semiconductor


esh3b-1767487.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 3.0 Amp 200 Volt
на замовлення 3257 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.52 грн
10+ 51.81 грн
100+ 34.59 грн
500+ 27.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ESH3D-E3/57T Vishay General Semiconductor

Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 55ns; DO214AB; Ufmax: 0.9V, Type of diode: rectifying, Max. off-state voltage: 200V, Max. forward impulse current: 125A, Semiconductor structure: single diode, Case: DO214AB, Mounting: SMD, Leakage current: 0.15mA, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching, Capacitance: 70pF, Reverse recovery time: 55ns, Max. forward voltage: 0.9V, Load current: 3A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції ESH3D-E3/57T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ESH3D-E3/57T ESH3D-E3/57T Виробник : VISHAY esh3b.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 55ns; DO214AB; Ufmax: 0.9V
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 125A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.15mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Capacitance: 70pF
Reverse recovery time: 55ns
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 3A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ESH3D-E3/57T ESH3D-E3/57T Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh3b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товар відсутній
ESH3D-E3/57T ESH3D-E3/57T Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh3b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товар відсутній
ESH3D-E3/57T ESH3D-E3/57T Виробник : VISHAY esh3b.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 55ns; DO214AB; Ufmax: 0.9V
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward impulse current: 125A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO214AB
Mounting: SMD
Leakage current: 0.15mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching
Capacitance: 70pF
Reverse recovery time: 55ns
Max. forward voltage: 0.9V
Load current: 3A
товар відсутній