ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation
Виробник: Taiwan Semiconductor CorporationDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A SOD128
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14000+ | 10.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ESH3DFSH Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 132A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції ESH3DFSH за ціною від 9.72 грн до 39.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ESH3DFSH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ESH3DFSH | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A SOD128 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-128 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 27929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ESH3DFSH | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - ESH3DFSH - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 132 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 132A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ESH3DFSH | Виробник : Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 25ns, 3A, 200V, Ultra Fast Recovery Rectifier |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|