Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F3L15MR12W2M1B69BOMA1
F3L15MR12W2M1B69BOMA1

F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Infineon Technologies


Infineon-F3L15MR12W2M1_B69-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977a9d0495942 Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V
на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+9659.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER EASY, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V.

Інші пропозиції F3L15MR12W2M1B69BOMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
F3L15MR12W2M1B69BOMA1 F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F3L15MR12W2M1_B69-DS-v02_00-EN-1568259.pdf Discrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
F3L15MR12W2M1B69BOMA1 F3L15MR12W2M1B69BOMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F3L15MR12W2M1_B69-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf12016977a9d0495942 Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY2BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.52 nF @ 800 V
товар відсутній