Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > F3L200R12N2H3B47BPSA1

F3L200R12N2H3B47BPSA1 Infineon Technologies


infineon-f3l200r12n2h3_b47-ds-v03_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
High Speed IGBT Module Transistor
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис F3L200R12N2H3B47BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Level Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO2-8, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA.

Інші пропозиції F3L200R12N2H3B47BPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
F3L200R12N2H3B47BPSA1 F3L200R12N2H3B47BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F3L200R12N2H3_B47-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d462647e95a6016492e792bf4892 Description: IGBT MOD 1200V 200A 20MW ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
товар відсутній
F3L200R12N2H3B47BPSA1 F3L200R12N2H3B47BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-F3L200R12N2H3_B47-DS-v03_00-EN-1731365.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
товар відсутній