FCB070N65S3 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 404.84 грн |
| 10+ | 334.36 грн |
| 100+ | 278.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCB070N65S3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCB070N65S3 за ціною від 224.42 грн до 439.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCB070N65S3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SuperFET3 650V 70mOhm |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 1057-1066 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCB070N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FCB070N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FCB070N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FCB070N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FCB070N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FCB070N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 44A; 312W; D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 650V Drain current: 44A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 312W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: D2PAK |
товар відсутній |