Продукція > ONSEMI > FCB099N65S3
FCB099N65S3

FCB099N65S3 onsemi

fcb099n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+233.65 грн
1600+ 192.65 грн
2400+ 181.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB099N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCB099N65S3 за ціною від 175.14 грн до 419.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCB099N65S3 FCB099N65S3 Виробник : onsemi fcb099n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V
на замовлення 2866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+386.83 грн
10+ 312.92 грн
100+ 253.12 грн
FCB099N65S3 FCB099N65S3 Виробник : onsemi FCB099N65S3_D-2311672.pdf MOSFET SF3 650V EASY 99MOHM, D2PAK
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.54 грн
10+ 347.68 грн
25+ 285.02 грн
100+ 244.4 грн
250+ 231.08 грн
500+ 201.11 грн
800+ 175.14 грн
FCB099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb099n65s3-d.pdf
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB099N65S3 FCB099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcb099n65s3-d.pdf N Channel Power MOSFET
товар відсутній