FCB11N60TM ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCB11N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85423190
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 286043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 140.44 грн |
| 25+ | 131.48 грн |
| 100+ | 125.5 грн |
| 250+ | 108.91 грн |
| 500+ | 95.41 грн |
| 1000+ | 90.93 грн |
| 2000+ | 81.96 грн |
| 4000+ | 73.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCB11N60TM ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB11N60TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85423190, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.32ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FCB11N60TM за ціною від 109.88 грн до 238.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCB11N60TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
на замовлення 631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCB11N60TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET HIGH POWER |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCB11N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FCB11N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FCB11N60TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FCB11N60TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FCB11N60TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FCB11N60TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 33A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |