Продукція > ONSEMI > FCB20N60
FCB20N60

FCB20N60 ONSEMI

FAIRS38940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+355.59 грн
25+ 301.81 грн
100+ 230.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCB20N60 ONSEMI

Description: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FCB20N60 за ціною від 230.3 грн до 435.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCB20N60 FCB20N60 Виробник : ONSEMI FAIRS38940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCB20N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+435.53 грн
10+ 355.59 грн
25+ 301.81 грн
100+ 230.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCB20N60 Виробник : FAIRCHIL 08+ LQFP112
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB20N60 Виробник : fairchild 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB20N60 Виробник : fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCB20N60 FCB20N60 Виробник : onsemi / Fairchild MOSFET SF1 600V 190MOHM E D2PAK
товар відсутній