FCB290N80 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 430.06 грн |
| 10+ | 347.6 грн |
| 100+ | 281.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCB290N80 onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 212W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCB290N80 за ціною від 213.77 грн до 466.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCB290N80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FCB290N80 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FCB290N80 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 212W; D2PAK Technology: SuperFET® Mounting: SMD Power dissipation: 212W Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
FCB290N80 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 212W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| FCB290N80 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 17A; 212W; D2PAK Technology: SuperFET® Mounting: SMD Power dissipation: 212W Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Drain current: 17A On-state resistance: 0.29Ω Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |