FCH077N65F-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCH077N65F-F085 - FCH077N65F-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FCH077N65F-F085 - FCH077N65F-F085, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
148+ | 427.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCH077N65F-F085 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 481W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FCH077N65F-F085 за ціною від 387.57 грн до 734.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCH077N65F-F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 650V N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 900 шт: термін постачання 217-226 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7162 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 54A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCH077N65F-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 54A; Idm: 156A; 481W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 54A Pulsed drain current: 156A Power dissipation: 481W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |