FCP190N65S3 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 212950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
164+ | 122.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP190N65S3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCP190N65S3 за ціною від 108.82 грн до 250.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCP190N65S3 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP190N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FCP190N65S3 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCP190N65S3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
товар відсутній |