FCU2250N80Z ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCU2250N80Z ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCU2250N80Z за ціною від 56.05 грн до 56.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCU2250N80Z | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V |
на замовлення 96353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|