Продукція > ONSEMI > FCU600N65S3R0
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0 ONSEMI

fcu600n65s3r0-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.57 грн
16+ 48.44 грн
100+ 48.36 грн
500+ 44.84 грн
1000+ 41.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCU600N65S3R0 ONSEMI

Description: ONSEMI - FCU600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FCU600N65S3R0 за ціною від 48.36 грн до 123.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCU600N65S3R0 FCU600N65S3R0 Виробник : onsemi fcu600n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.4 грн
10+ 92.72 грн
100+ 73.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCU600N65S3R0 FCU600N65S3R0 Виробник : onsemi FCU600N65S3R0_D-2311807.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.22 грн
10+ 110 грн
75+ 77.72 грн
525+ 64.96 грн
1050+ 52.41 грн
2550+ 49.75 грн
5025+ 48.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCU600N65S3R0 FCU600N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor FCU600N65S3R0_D-2311807.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)