FD300R06KE3HOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6795.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FD300R06KE3HOSA1 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; screw, Application: frequency changer; Inverter, Topology: boost chopper, Mechanical mounting: screw, Pulsed collector current: 600A, Max. off-state voltage: 0.6kV, Electrical mounting: screw, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Case: AG-62MM-1, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 300A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FD300R06KE3HOSA1 за ціною від 7016.65 грн до 7016.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FD300R06KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGBT MOD 600V 400A 940W |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FD300R06KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; screw Application: frequency changer; Inverter Topology: boost chopper Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: AG-62MM-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
|
|
FD300R06KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 600V 400A 940W |
товар відсутній |
|||||
| FD300R06KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 600V; screw Application: frequency changer; Inverter Topology: boost chopper Mechanical mounting: screw Pulsed collector current: 600A Max. off-state voltage: 0.6kV Electrical mounting: screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: AG-62MM-1 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A |
товар відсутній |