FDA18N50 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
169+ | 118.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA18N50 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 239W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDA18N50 за ціною від 160.67 грн до 244.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDA18N50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FDA18N50 | Виробник : FAIRCHILD | 09+ TO3P |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
FDA18N50 | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 56250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FDA18N50 Код товару: 37766 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
FDA18N50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||||
FDA18N50 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-CH MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||
FDA18N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11.4A; Idm: 76A; 239W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11.4A Pulsed drain current: 76A Power dissipation: 239W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |