на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 343.49 грн |
10+ | 308.64 грн |
25+ | 214.3 грн |
100+ | 204.29 грн |
450+ | 162.23 грн |
900+ | 156.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDA28N50 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.122 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-3PN, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: UniFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDA28N50 за ціною від 237.41 грн до 382.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDA28N50 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDA28N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 28 A, 0.122 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: UniFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.122ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FDA28N50 Код товару: 85154 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||
FDA28N50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||
FDA28N50 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||
FDA28N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
FDA28N50 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||
FDA28N50 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; Idm: 112A; 310W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 310W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 155mΩ Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |