FDD050N03B ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD050N03B ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 65W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDD050N03B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDD050N03B | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
FDD050N03B | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 15 V |
товар відсутній |