Продукція > ONSEMI > FDD120AN15A0

FDD120AN15A0 onsemi

Name: FDD120AN15A0
Brand: onsemi
SKU: 978480-3
Price: 20.67 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2500+	23.62 грн
5000+	21.67 грн
12500+	20.67 грн

Мінімальне замовлення: 2500

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDD120AN15A0 onsemi

Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD120AN15A0 за ціною від 22.68 грн до 86.06 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

FDD120AN15A0

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	37.95 грн
500+	29.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDD120AN15A0

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V

на замовлення 14685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	56.91 грн
10+	44.95 грн
100+	35 грн
500+	27.84 грн
1000+	22.68 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDD120AN15A0

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFET 150V 14a 0.120 Ohm

на замовлення 25989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	62.15 грн
10+	50.01 грн
100+	33.9 грн
500+	28.77 грн
1000+	23.44 грн
2500+	22.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

FDD120AN15A0

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - FDD120AN15A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 14 A, 0.101 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.101ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
12+	67.53 грн
15+	53.26 грн
100+	37.95 грн
500+	29.9 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDD120AN15A0

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 14A; 65W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 14A
On-state resistance: 282mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.5nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	71.72 грн
8+	46.2 грн
25+	37.04 грн
27+	30.52 грн
73+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

FDD120AN15A0

Виробник : ONSEMI

на замовлення 2370 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	86.06 грн
5+	57.57 грн
25+	44.45 грн
27+	36.62 грн
73+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 4

FDD120AN15A0

Виробник : Fairchild

N-Channel 150V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount DPAK FDD120AN15A0 ON Semiconductor TFDD120an15a0
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	53.36 грн

Мінімальне замовлення: 10