FDD13AN06A0-F085 onsemi / Fairchild
на замовлення 19573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.13 грн |
10+ | 72.68 грн |
100+ | 55.87 грн |
500+ | 51.34 грн |
1000+ | 42.42 грн |
2500+ | 39.42 грн |
5000+ | 37.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD13AN06A0-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 115W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDD13AN06A0-F085 за ціною від 48.42 грн до 118.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD13AN06A0-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDD13AN06A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 225212500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
FDD13AN06A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 2252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
FDD13AN06A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
FDD13AN06A0-F085 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD13AN06A0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDD13AN06A0-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.9A/50A TO252AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |