FDD14AN06LA0_F085 Fairchild Semiconductor
на замовлення 189012500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD14AN06LA0_F085 Fairchild Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 125W; DPAK, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 50A, On-state resistance: 33mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 32nC, Technology: PowerTrench®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: DPAK, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDD14AN06LA0_F085
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD14AN06LA0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3 |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDD14AN06LA0-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
FDD14AN06LA0_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A DPAK-3 |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDD14AN06LA0-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 125W; DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 32nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FDD14AN06LA0-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA |
товар відсутній |
|
|
|
FDD14AN06LA0-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA |
товар відсутній |
|
|
|
FDD14AN06LA0-F085 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 125W; DPAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 125W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 32nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: DPAK |
товар відсутній |