Продукція > ONSEMI > FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZ

FDD1600N10ALZ onsemi

fdd1600n10alz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.91 грн
5000+ 24.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD1600N10ALZ onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDD1600N10ALZ за ціною від 23.84 грн до 64.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ Виробник : ON Semiconductor fdd1600n10alz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ Виробник : onsemi / Fairchild FDD1600N10ALZ_D-2312225.pdf MOSFET PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND
на замовлення 17143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.98 грн
10+ 50.47 грн
100+ 33.16 грн
500+ 29.37 грн
1000+ 25.44 грн
2500+ 24.71 грн
5000+ 23.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDD1600N10ALZ FDD1600N10ALZ Виробник : onsemi fdd1600n10alz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
на замовлення 16673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.83 грн
10+ 51.26 грн
100+ 39.86 грн
500+ 31.71 грн
1000+ 25.83 грн
Мінімальне замовлення: 5