FDD20AN06A0_F085

FDD20AN06A0_F085 Fairchild Semiconductor


FDD20AN06_F085.pdf Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
на замовлення 4901 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD20AN06A0_F085 Fairchild Semiconductor

Description: FDD20AN06 - N-CHANNEL POWERTRENC, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDD20AN06A0_F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD20AN06A0_F085 FDD20AN06A0_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD20AN06_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
на замовлення 4901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD20AN06A0-F085 FDD20AN06A0-F085 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDD20AN06_F085-1122743.pdf MOSFET N-Ch PowerTrench
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDD20AN06A0-F085 FDD20AN06A0-F085 Виробник : ON Semiconductor 882623580315260fdd20an06_f085.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 45A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD20AN06A0_F085 FDD20AN06A0_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDD20AN06_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 45A DPAK
товар відсутній
FDD20AN06A0-F085 FDD20AN06A0-F085 Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003586896-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FDD20AN06 - N-CHANNEL POWERTRENC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
товар відсутній