Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDD2582
FDD2582

FDD2582 ON Semiconductor

fdd2582-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDD2582 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 95W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDD2582 за ціною від 28.9 грн до 94.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+33.41 грн
5000+ 33.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD2582 FDD2582 Виробник : ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 95W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.52 грн
500+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+59.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD2582 FDD2582 Виробник : onsemi fdd2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.52 грн
10+ 61.53 грн
100+ 47.88 грн
500+ 38.09 грн
1000+ 31.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD2582 FDD2582 Виробник : onsemi / Fairchild FDD2582_D-2311940.pdf MOSFET N-Ch PowerTrench
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.24 грн
10+ 69.15 грн
100+ 46.75 грн
500+ 39.62 грн
1000+ 32.3 грн
2500+ 30.37 грн
5000+ 28.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDD2582 FDD2582 Виробник : ONSEMI 2304716.pdf Description: ONSEMI - FDD2582 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.058 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+94.87 грн
10+ 78.44 грн
100+ 57.52 грн
500+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDD2582
Код товару: 181480 		fdd2582-d.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD2582 FDD2582 Виробник : ON Semiconductor fdd2582-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FDD2582 FDD2582 Виробник : ONSEMI FDD2582.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 172mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDD2582 FDD2582 Виробник : onsemi fdd2582-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 25 V
товар відсутній
FDD2582 FDD2582 Виробник : ONSEMI FDD2582.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 95W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 95W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 172mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній