FDD306P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 52W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 26.29 грн |
| 5000+ | 24.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDD306P onsemi
Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDD306P за ціною від 25.24 грн до 89.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDD306P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 52W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 6 V |
на замовлення 9820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD306P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SPECIFIED POWER TR 1.8V PCH |
на замовлення 1123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDD306P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -6.7A Power dissipation: 52W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDD306P | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6.7A; 52W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -6.7A Power dissipation: 52W Case: DPAK Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 787 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDD306P | Виробник : ON-Semicoductor |
P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252 FDD306P ON Semiconductor TFDD306P кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
FDD306P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD306P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDD306P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FDD306P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD306P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.7 A, 0.09 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 52W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FDD306P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |