Продукція > ONSEMI > FDFMA2P853
FDFMA2P853

FDFMA2P853 onsemi

fdfma2p853-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
на замовлення 2317532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
825+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 825
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDFMA2P853 onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V, FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDFMA2P853 за ціною від 25.44 грн до 59.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDFMA2P853 FDFMA2P853 Виробник : onsemi / Fairchild FDFMA2P853_D-2312730.pdf MOSFET MLP 2X2 DUAL INTEGRATED PCH PO
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.2 грн
10+ 50.52 грн
100+ 30.44 грн
500+ 25.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDFMA2P853 Виробник : FAI fdfma2p853-d.pdf QFN 0632+
на замовлення 1306 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDFMA2P853 Виробник : FAIRCHILD fdfma2p853-d.pdf 09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDFMA2P853 Виробник : FAIROHILD fdfma2p853-d.pdf QFN
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDFMA2P853 Виробник : FSC fdfma2p853-d.pdf
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDFMA2P853 FDFMA2P853 Виробник : onsemi fdfma2p853-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
товар відсутній
FDFMA2P853 FDFMA2P853 Виробник : onsemi fdfma2p853-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
товар відсутній