Продукція > ON SEMICONDUCTOR / FAIRCHILD > FDG313N
FDG313N

FDG313N ON Semiconductor / Fairchild

FDG313N-1119452.pdf Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET SC70-6 N-CH 25V
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG313N ON Semiconductor / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V.

Інші пропозиції FDG313N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDG313N Виробник : FAI fdg313n-d.pdf 0701+P
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313N Виробник : FAI fdg313n-d.pdf 09+
на замовлення 60018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313N Виробник : Fairchild fdg313n-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313N Виробник : FAIRCHILD fdg313n-d.pdf 02+ SOT-323-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313N Виробник : FAIRCHILD fdg313n-d.pdf SOT363
на замовлення 471000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313N Виробник : NAS fdg313n-d.pdf 12/363
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG313N FDG313N Виробник : onsemi fdg313n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
FDG313N FDG313N Виробник : onsemi fdg313n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній