на замовлення 2910 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.7 грн |
| 10+ | 35.7 грн |
| 3000+ | 10.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG6308P onsemi / Fairchild
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Case: SC70-6; SC88; SOT363, On-state resistance: 0.8Ω, Power dissipation: 0.3W, Gate charge: 2.5nC, Polarisation: unipolar, Technology: PowerTrench®, Drain current: -0.6A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -20V, Type of transistor: P-MOSFET x2, Gate-source voltage: ±8V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FDG6308P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG6308P | Виробник : ON Semiconductor |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
на замовлення 5928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
FDG6308P | Виробник : ON Semiconductor |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FDG6308P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SC88; SOT363 On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 0.3W Gate charge: 2.5nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -0.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
FDG6308P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
FDG6308P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC70-6; SC88; SOT363 On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 0.3W Gate charge: 2.5nC Polarisation: unipolar Technology: PowerTrench® Drain current: -0.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |