на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDG8850NZ ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 360mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FDG8850NZ за ціною від 10.08 грн до 44.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDG8850NZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG8850NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG8850NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6) |
на замовлення 24305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG8850NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET |
на замовлення 131557 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDG8850NZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 360mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 13835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDG8850NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.75A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.44nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDG8850NZ | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.75A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.36W Polarisation: unipolar Gate charge: 1.44nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 |
товар відсутній |