на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDMA2002NZ ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 650mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2).
Інші пропозиції FDMA2002NZ за ціною від 21.31 грн до 61.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 650mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-MicroFET (2x2) |
на замовлення 31971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMA2002NZ | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 58151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 28238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
| FDMA2002NZ | Виробник : ONSEMI |
FDMA2002NZ Multi channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
FDMA2002NZ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 6-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |