FDZ197PZ Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
Description: 3.8A, 20V, P-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
на замовлення 29400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1210+ | 16.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDZ197PZ Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V.
Інші пропозиції FDZ197PZ за ціною від 16.46 грн до 31.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDZ197PZ | Виробник : onsemi |
Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI Packaging: Bulk Package / Case: 6-UFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.0x1.5) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V |
на замовлення 275000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDZ197PZ | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench |
на замовлення 4044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||
FDZ197PZ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDZ197PZ - FDZ197PZ, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 275000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FDZ197PZ | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-Pin WLCSP T/R |
товар відсутній |