FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 600A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 14002.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 600A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke], productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 600A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FF600R12KE4BOSA1 за ціною від 16648.39 грн до 23374.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FF600R12KE4BOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 600A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FF600R12KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF600R12KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FF600R12KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
на замовлення 10 шт: термін постачання 179-188 дні (днів) |
|
|||||||
 |
FF600R12KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A Automotive 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |
|||||||
|
|
FF600R12KE4BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray |
товар відсутній |