FF600R12ME4B73BPSA1

FF600R12ME4B73BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FF600R12ME4_B73-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e94b7a3232e2d Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 1200A 20MW
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
на замовлення 194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+14120.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF600R12ME4B73BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 1200A 20MW, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF600R12ME4B73BPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF600R12ME4B73BPSA1 FF600R12ME4B73BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_FF600R12ME4_B73_DS_v03_00_EN-1731411.pdf IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FF600R12ME4B73BPSA1 FF600R12ME4B73BPSA1 Виробник : Infineon Technologies 253infineon-ff600r12me4_b73-ds-v03_00-en.pdffileid5546d4625e76390401.pdf EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC
товар відсутній
FF600R12ME4B73BPSA1 FF600R12ME4B73BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-FF600R12ME4_B73-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e94b7a3232e2d Description: IGBT MOD 1200V 1200A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V
товар відсутній