FF600R17KE3B2NOSA1

FF600R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies


765db_ff600r17ke3_b2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3file.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FF600R17KE3B2NOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MODULE 1700V 4300W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: 2 Independent, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 4300 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FF600R17KE3B2NOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FF600R17KE3B2NOSA1 FF600R17KE3B2NOSA1 Виробник : Infineon Technologies 765db_ff600r17ke3_b2.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601e3file.pdf Trench and Field Stop IGBT Module
товар відсутній
FF600R17KE3B2NOSA1 FF600R17KE3B2NOSA1 Виробник : Infineon Technologies FF600R17KE3_B2.pdf Description: IGBT MODULE 1700V 4300W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 4300 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 54 nF @ 25 V
товар відсутній